三次元DRAM、WOW技術で熱抵抗が1/3に削減

東京工業大学科学技術創成研究院未来産業技術研究所の大場隆之教授はWOWアライアンスと共同で、バンプレスTSV配線を用いると、3次元積層デバイスの熱抵抗を従来のバンプの接合構造と比較して、30数%（1/3）まで低減できることを明らかにした。有限要素法（FEM）と熱回路網の計算手法を用いて解析した。

解析により、バンプ接合TSV配線の3次元積層デバイスは積層部、絶縁層、有機膜が熱抵抗の主要因であることがわかった。これに対し、バンプレスTSV配線は、バンプの密度を同じにした場合、接合部の熱伝導が150倍良好であり、全体の熱抵抗では、従来手法が1.54 Kcm2/Wであるのに対して、0.46 Kcm2/Wにまで低減可能であることがわかった。

この成果は山形県天童市で4月19～21日に開かれるエレクトロニクス実装国際会議「ICEP2017」で発表された。