2016.04.07
鉄系超伝導体の臨界温度が4倍に上昇
絶縁性薄膜に電界印加で35ケルビンに
東京工業大学 科学技術創成研究院 フロンティア材料研究所の平松秀典准教授、元素戦略研究センターの細野秀雄教授と半沢幸太大学院生らは、鉄系超伝導体の一つである鉄セレン化物「FeSe」のごく薄い膜を作製し、8ケルビン（K＝絶対温度、0Kはマイナス273℃）で超伝導を示すバルク（塊）より4倍高い35Kで超伝導転移させることに成功した。FeSe薄膜が超伝導体ではなく、絶縁体のような振る舞いを示すことに着目し、電気二重層トランジスタ構造を利用して電界を印加することにより実現した。
トランジスタ構造を利用したキャリア生成方法は、一般的な元素置換によるキャリア生成とは異なり、自由にかつ広範囲にキャリア濃度を制御できる特徴がある。このため、元素置換によるキャリア添加が不可能な物質でも適用が可能なことから、今後の鉄系層状物質でより高い超伝導臨界温度の実現を狙う有力な方法になると期待される。
成果は3月29日（米国時間28日）に「米国科学アカデミー紀要（Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America）」のオンライン速報版に掲載された。
