2024.07.19
新材料設計指針により世界最高の臨界電流密度を有する鉄系超伝導薄膜を創製
銅酸化物高温超伝導薄膜に匹敵する磁場中臨界電流密度を達成
東京工業大学の細野秀雄栄誉教授（国際先駆研究機構 元素戦略MDX研究センター 特命教授）、科学技術創成研究院の平松秀典教授らは、成蹊大学大学院理工学研究科の三浦正志教授と共に、新材料設計指針である『キャリア密度制御と磁束ピン止め点制御の融合』により鉄系超伝導材料SmFeAsO1–xHx薄膜を創製し、液体ヘリウム沸点温度（−269度）で25テスラの高磁場下まで鉄系超伝導材料の中で最も高い臨界電流密度を達成。また、本材料設計指針により種類の異なる超伝導材料においても世界最高レベルの臨界電流密度を達成し、幅広い超伝導材料への本材料設計指針の有効性を確認しました。
本研究成果は、英国科学誌Nature姉妹論文誌「Nature Materials」（オンライン：2024年7月18日午後6時（日本時間））に掲載されました。
