微細化によるシリコンパワートランジスタの高効率化に成功
―電力制御システムの飛躍的高効率・低コスト化に新たな道―

東京工業大学 科学技術創成研究院 未来産業技術研究所の筒井一生教授らは、シリコンによる電力制御用の絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ(IGBT)をスケーリング(微細化)することで、コレクタ-エミッタ間飽和電圧(Vce(sat))を従来の約70%に、オン抵抗を約50%に低減することに成功した。

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