半導体トランジスタ中の欠陥でコヒーレンス制御に成功
―ノイズの原因だった欠陥から新たな現象を発見―

東京工業大学 科学技術創成研究院 未来産業技術研究所 量子ナノエレクトロニクス研究コアの小田俊理教授、テノリオ・パール・J・O特任助教、E・D・ハーブシュレブ日本学術振興会外国人特別研究員の研究グループは、ケンブリッジ大学工学部のW・I・ミルン教授(世界トップレベルの海外大学教員招聘プログラムで東工大に滞在中)と共同で、半導体デバイスである電界効果トランジスタ(FET)の酸化膜中の欠陥について、通常ノイズとして扱うところを、注意深く制御し、それがコヒーレンス時間の長い2準位状態になることを発見した。この2準位状態は、既存のスーパーコンピュータを凌駕する計算能力を持つ量子コンピュータへの応用が期待される。

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